Создана DDR5 для суперкомпьютеров и ЦОДов объёмом в 512 ГБ

В основе модулей памяти используется новый материал HKMG, который снижает энергопотребление на 13%, а скорость нового модуля в 2 раза выше, чем у DDR4.

Сегодня в своём пресс-релизе компания Samsung Electronics представила модуль DDR5 объемом 512 ГБ на базе технологии High-K Metal Gate. Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду. Новый модуль подходит для выполнения задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

В DDR5 от Samsung будет использоваться технология HKMG, которая традиционно применяется в логических полупроводниках и была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG, DDR5 от Samsung сокращает утечки и способна обеспечить более высокую производительность. Новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии.

“Поскольку объем данных, которые необходимо перемещать, хранить и обрабатывать, растет по экспоненте, переход на DDR5 наступает в критический момент для облачных ЦОД, сетей и периферийных развертываний. Инженеры Intel в тесном сотрудничестве с лидерами в сфере памяти, такими как Samsung, создали быструю, энергоэффективную память DDR5 с оптимизированной производительностью, совместимую с нашими будущими процессорами Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids”, — отметила Кэролин Дюран, вице-президент и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода в компании Intel.

Используя технологию вертикальных межсоединений, память Samsung DDR5 объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 ГБ, обеспечивая максимальную емкость 512 ГБ. Технология TSV впервые была задействована в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.