Western Digital и KIOXIA анонсировали 3D-флеш-память нового поколения

Инновации в масштабировании и размещении структур из полупроводниковых интегральных микросхем обеспечили возможность создания 3D-флеш-памяти с самой высокой на сегодняшний день плотностью данных. Для нас с вами эти снизит стоимость такого типа памяти и дополнительно увеличит скорость чтения и записи данных на 66%.

Сегодня KIOXIA Corporation и Western Digital Corp.  в пресс-релизе сообщили о разработке 162-слойной технологии 3D-флеш-памяти шестого поколения. Создание 3D-флеш-памяти, обладающей на сегодняшний день самой высокой плотностью и поддержкой самых передовых технологий — очередная веха в истории 20-летнего партнерства компаний.

«По мере того как закон Мура достигает своих физических пределов в полупроводниковой промышленности, в сегменте флеш-памяти он сохраняет свою актуальность, — рассказывает доктор Сива Сиварам, президент по технологиям и стратегиям Western Digital. — Для развития достижений и удовлетворения растущих информационных потребностей крайне важен новый подход к масштабированию 3D-флеш-памяти. KIOXIA и Western Digital внедряют инновации в области вертикального и горизонтального масштабирования для обеспечения большей емкости в кристалле меньшего размера с меньшим количеством слоев. В конечном итоге такое решение обеспечит нужную клиентам производительность, надежность и стоимость»

3D-флеш-память шестого поколения отличается усовершенствованной архитектурой, превосходящей обычные восьмиступенчатые массивы памяти с ячейками, и увеличенной на 10 процентов, по сравнению с технологией пятого поколения, плотностью массива ячеек в горизонтальном направлении. Такое усовершенствование горизонтального масштабирования в сочетании с вертикально скомпонованными 162 слоями памяти позволяет уменьшить размер кристалла на 40 процентов по сравнению с технологией вертикальной компоновки 112 слоев и тем самым оптимизировать затраты.

Команды KIOXIA и Western Digital также используют размещение структур по технологии Circuit Under Array и работу в четырех плоскостях, что в совокупности почти в 2,4 раза улучшает производительность при записи и на 10 процентов снижает задержку чтения по сравнению с предыдущим поколением. Скорость ввода-вывода также увеличивается на 66 процентов, благодаря чему интерфейс следующего поколения сможет поддерживать постоянно растущую потребность в более высокой скорости передачи данных. Новая технология 3D-флеш-памяти снижает стоимость одного бита, а также на 70 процентов увеличивает количество битов на пластину по сравнению с предыдущим поколением.