Samsung планирует внедрить технологию гибридного склеивания для новейшей памяти HBM4

По задумке инженеров это позволит снизить тепловые нагрузки и обеспечить сверхширокий интерфейс памяти.

Современные модули HBM объединяют несколько слоёв памяти через вертикальные соединения (TSV) и микровыступы. Однако рост скорости и плотности требует новых подходов. Альтернативой выступает гибридная технология, где слои соединяются напрямую медными контактами. Это снижает сопротивление, улучшает теплоотвод и позволяет уменьшить шаг соединений до десяти микрометров. Несмотря на преимущества, метод остаётся дорогим из-за специализированного оборудования и требует перестройки производственных линий.

SK hynix, один из лидеров в производстве HBM, продолжает использовать метод MR-MUF с формованным подзаливом. Компания модернизировала процесс, добившись уменьшения толщины шестнадцатислойных модулей до 775 микрометров, что соответствует стандартам JEDEC для HBM4. Такой подход устраняет необходимость в гибридном соединении, сохраняя совместимость с существующими мощностями. Руководство SK hynix рассматривает переход на новую технологию как запасной вариант, если традиционные методы перестанут удовлетворять требованиям.

Samsung, в свою очередь, инвестирует в гибридное соединение для HBM4, планируя начать массовое производство к 2026 году. Использование дочерней компании Semes для разработки оборудования может снизить затраты. Успех Samsung способен изменить рыночный ландшафт, предоставив преимущество в производительности и энергоэффективности. Однако неопределённость в способности Semes создать конкурентоспособные инструменты остаётся фактором риска.

Micron, третий ключевой игрок, пока сохраняет технологию TC-NCF. Отраслевые аналитики отмечают, что выбор методов упаковки HBM4 повлияет на распределение долей рынка. Решение SK hynix придерживаться MR-MUF подчёркивает важность баланса между инновациями и экономической целесообразностью в условиях растущего спроса на высокоскоростную память.