Компания GOODRAM расширяет свой ассортимент накопителей новым NVME SSD – GOODRAM IRDM M.2 с интерфейсом PCIe 3×4 и DRAM буфером, так как SSD M.2 уверенно смещают SATA SSD с пьедестала.
Новый GOODRAM IRDM M.2 предлагает в 6 раз более высокую производительность, чем SSD формата SATA III. Наличие DRAM буфера обеспечивает более высокую стабильность работы под нагрузкой. Это значит, что пользователь избежит обычных проблем, имеющихся у безбуферных SSD.
Скорость чтения GOODRAM IRDM M.2 составляет 3200 МБ/сек при использовании с интерфейсом PCIe 3×4. Это является достойной производительностью для поколения 3.0, что позволяет использовать IRDM M.2, как альтернативу более быстрым, но в то же время и более дорогим SSD с интерфейсом PCIe 4.0.
Особенности новой линейки:
- тип памяти TLC 3D NAND Flash
- интерфейс PCIe 3×4
- 8-канальный контроллер Phison E12с буфером DRAM
- 5 лет гарантии + техническая поддержка
- доступные ёмкости: 256ГБ, 512ГБ, 1ТБ, 2ТБ
Цены IRDM M.2 | ||
Объём накопителя | USD | EUR |
256 ГБ | 35,05 | 29,95 |
512 ГБ | 57,73 | 49,34 |
1024 ГБ | 107,48 | 91,86 |
2048 ГБ | 212,34 | 181,49 |
Комментарии